Samsung представила память HBM3E «Shinebolt» с рекордной скоростью чтения

Samsung продвигает технологию HBM3E DRAM (Shinebolt) как решение для приложений искусственного интеллекта нового поколения. HBM3E обладает впечатляющей скоростью передачи данных, достигая 9,8 Гбит/с на каждый контакт и общей скоростью более 1,2 ТБ/с. Это обеспечивается путем оптимизации технологии непроводящей пленки (NCF), устраняющей зазоры между чипами и максимизирующей теплопроводность. Продукты Samsung 8H и 12H HBM3 находятся в массовом производстве, а образцы HBM3E отправлены клиентам.
Память GDDR7 обеспечивает повышение производительности на 40% и улучшение энергоэффективности на 20% по сравнению с GDDR6 DRAM. Она предлагает скорость передачи данных до 32 Гбит/с и может достичь пропускной способности до 1,5 ТБ/с при использовании 384-битного интерфейса шины. Сообщается, что Samsung GDDR7 DRAM будет доступен в различных вариантах, включая версии для высокоскоростных приложений и ноутбуков с низким энергопотреблением. Кроме того, она будет использовать эпоксидный формовочный компаунд с высокой теплопроводностью, что снизит термическое сопротивление на 70%. Samsung также передает образцы своей памяти GDDR7 NVIDIA, предоставляя раннюю возможность оценки для их будущих игровых видеокарт следующего поколения.