Micron представила HBM3 Gen2 — быстрейшую видеопамять

Компания Micron готова к началу производства многослойной памяти HBM нового поколения. Она получила название HBM3 Gen2 и характеризуется на 44% большей пропускной способностью, чем актуальные чипы стандарта HBM3. При этом максимальная ёмкость не изменилась, по-прежнему 24 ГБ, но в будущем компания будет использовать 12 слоёв вместо 8, что повысит ёмкость.
Для производства микросхем HBM3 Gen2 задействуется техпроцесс 1β, что примерно около 12 привычных нанометров. Большая пропускная способность обеспечивается увеличенным количеством сквозных соединений типа TSV и уменьшением расстояния между слоями DRAM. Попутно небольшой плюс в виде улучшенного охлаждения чипов.
Быстродействие на контакт – 9,2 ГТ/с (гигатранзакций в секунду) против 6,4 у «обычной» HBM3. Ускоритель с 4 чипами HBM3 Gen2 и 4096-битной шиной обеспечит общую пропускную способность на уровне 4,8 ТБ/с, а в случае 6 чипов – 7,2 ТБ/с. Для сравнения, ускоритель NVIDIA H100 с памятью HBM3 характеризуется 3,35 ТБ/с.